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J-GLOBAL ID：201602010101938304   整理番号：70A0250135

気相成長によるSiAs(SiAs₂)結晶

Silicon arsenide crystals by vapor growth.

著者 (3件)： KELM R W Jr ,  CHU T L ,  CHU S C
資料名： SWIEEECO Rec Tech Program  (SWIEEECO Record of Technical Program Papers)
巻： 22nd  ページ： 88-91  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0550A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiAs(SiAs₂)は比較的大きなエネルギーギャップをもっているために高温で応用する電子デバイスに用いると有利である。ここでは二領域炉に溶触シリカの反応管を用いてシリコン.ひ素,よう度を反応させて平たんなリボン状のSiAsを形成させた。X線解析からこのリボンが成長表面に対して平行な二つの面をもった単一構造の双晶であることがわかった。この双晶になることが気相成長プロセスの〓要な特長であると結論できる。光学的な透過の測定からこの材料が1.5Vのエネルギーギャップをもつことが推定された;写図1表1参6

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  気相成長
準シソーラス用語： SiAs₂結晶 ,  SiAs₂結晶(気相成長/エネルギーギヤツプ) ,  SiAs結晶 ,  SIAs結晶 ,  SiAs結晶(気相成長/エネルギーギャツプ) ,  エネルギーギャツプ ,  エネルギーギヤツプ ,  エネルギーギャップ(SIAs結晶)-

タイトルに関連する用語 (3件)： 気相成長 ,  SIAS ,  結晶