文献

J-GLOBAL ID：201602010104089219   整理番号：62A0014957

陰極酸化物の薄膜における低周波負抵抗

Low-frequency negative resistance in thin anodic oxide films.

著者 (1件)： HICKMOTT T W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 33  号： 9  ページ： 2669-2682  発行年： 1962年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 酸化物薄膜をはさんだ五種類のサンドウィッチ試料:Al-SiO₂-Au,Al-Al₂O₃-Au,Ta-Ta₂O₅-Au,Zr-ZrO₂-Au,Ti-TiO₂-Auについて直流電流電圧特性に負抵抗が認められた。それらの最大電流値を与える電圧はそれぞれ3.1V,2.9V,2.2V,2.1V,1.7Vである。Al₂O₃では,最大電流値に対する電圧は,150~1000Åの範囲で膜の厚さに関係しない。Peak-to-valley比が30:1,電流密度が10A/cm²が典型的な数字である。電流の極大値から極少値へのスイッチ時間は0.5μs以下である。しかし,60C/Sの測定では負抵抗の現象は認められない。負抵抗の機構はまだ不明;写2図17表2参44

タイトルに関連する用語 (5件)： 陰極 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  低周波 ,  負抵抗