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J-GLOBAL ID：201602010149412878   整理番号：68A0030927

GaAS-Cs-0からの光放出

Photoemission from GaAsCs.
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著者 (2件)：
TURNBULL A A

TURNBULL A A について

, 
EVANS G B

EVANS G B について


資料名：
Br J Appl Phys (J Phys D)  (British Journal of Applied Physics (Journal of Physics. D))

Br J Appl Phys (J Phys D) について


巻： 1  号： 2  ページ： 155-160  発行年： 1968年 
JST資料番号： B0092B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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既に報告されているGaAs-Csと同様の高能率光放出がGaAs-Cs-Oにも観測された。Cs-Oを被覆したGaAsとタングステンよりのスペクトル分布の比較により被覆自体の仕事関数は少くともGaAs-Csと同程度に小さい。また光放出収量はGaAs-Csに対する最高値と同程度であり安定性はよりすぐれている。GaAs内で光によって励起された電子は大きな損失なしにCs-O層を通過するものと考えられる;写図6参4
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光放出

光放出 について


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