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J-GLOBAL ID：201602010257467387   整理番号：70A0033783

りん化ガリウム薄膜のスパッタによる成長

Gallium-phosphide films deposited by sputtering.

著者 (1件)： SOSNIAK J
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 7  号： 1  ページ： 110-114  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： りん化ガリウム薄膜をP形GaPターゲットを用いて30×1r3Tonアルゴン中でrf,dc,及びrf-dcグロー放電によって蒸着。すべての方法で,P形GaP半導体薄膜を成長速度最大1100A/minで得た。ガラス下地の上に下地温度と蒸着速度を変えることにより無定形または多結晶薄膜を得た;写図6参24

シソーラス用語： 電子回折
準シソーラス用語： GaP ,  スパッタ膜

タイトルに関連する用語 (4件)： りん化ガリウム ,  薄膜 ,  スパッタ ,  成長