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J-GLOBAL ID：201602010261982121   整理番号：66A0020687

高周波スパッタによる誘電体薄膜

Dielectric thin films through rf sputtering.

著者 (2件)： DAVIDSE P D ,  HAISSEL LI
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 37  号： 2  ページ： 574-579  発行年： 1966年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 絶縁体は標準の直流グロー放電技術ではスパッタすることができない。それは加速ポテンシャルが直接印加できないこと,イオン照射により表面に蓄積される正電荷を中性にすることができないことによる。絶縁体の直接スパッタは金属電極と絶縁体ターゲット間に高周波ポテンシャルを印加することによって行なうことができる。この方法を絶縁体薄膜の蒸着に適用した。適当な条件で蒸着速度2000Å/minが得られた。13.56Mc/sの周波数,5×10^-3Torrの真空度,700~5500Vのポテンシャルで実験した。Ar中の蒸着に酸素が入ると蒸着速度は著しく減少する;図7表3参6

タイトルに関連する用語 (2件)： 高周波スパッタ ,  誘電体薄膜