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J-GLOBAL ID：201602010347787844   整理番号：70A0028659

インジウム薄膜における電子平均自由行程を残留抵抗

Residual resistivity and electron mean free path in indium thin films.

著者 (1件)： GARLAND M M
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 7  号： 2  ページ： 366-367  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液体ヘリウム温度における薄膜の抵抗は,結晶格子の不完全さや,内面の電子の散乱などによって決定される。また薄膜の抵抗値とバルクの抵抗値との関係は,Fuchs-Sondheimevの式であらわされる。本報告では,100Aから1200Aのインジウム薄膜の残留抵抗と厚みの関係を実験によって出し,電子計算機を使って,この関係式を得た。また電子の反射は拡がった状態であり,これは他の単結晶薄膜によっても,たしかめらたとしている。この外,Sondheimerの計算値などを図示している;写図3参8

シソーラス用語： インジウム ,  残留抵抗 ,  電気抵抗 ,  電子散乱 ,  薄膜
準シソーラス用語： 平均自由行程

タイトルに関連する用語 (4件)： インジウム ,  薄膜 ,  電子平均自由行程 ,  残留抵抗