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文献
J-GLOBAL ID:201602010364830702   整理番号:60A0007287

狭いSiとGeのPN接合での内部電界放出

Internal field emission at narrow silicon and germanium P-N junctions.
著者 (6件):
資料名:
巻: 118  号:ページ: 425-434  発行年: 1960年
JST資料番号: D0323B  ISSN: 0031-899X  CODEN: PHRVA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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絶縁破壊電圧が0.1~0.8eVの範囲のSi-Ge合金のPN接合の逆特性をいくつかくわしくしらべた。これでは逆電流はほとんど内部電界放出により生じる。逆バイアス特性は転位密度に敏感でないからトンネル電流はおもにひずまない物質で起こっている。これらの狭い接合は理想的階段接合に非常に近い.トンネルの確率の実験と理論の一致はよい.臨界電圧は4.2~700°Kで測った。トンネル効果はGeで直接,Siで間接遷移であることと矛盾しない
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