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J-GLOBAL ID：201602010369959371   整理番号：71A0258897

絶縁破壊形固定記憶

Insulator breakdown read-only memory.

著者 (1件)： DILL F H
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 13  号： 5  ページ： 1191  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文は絶縁破壊により電気的に情報を書込むことのできる,固定記憶について述べた。絶縁層をはさんで.X.Y方向に各々N+,Alの導体を格子状に配列し,それちをN型の基板上に形成する。情報の書き込みは.X,Yの導体に絶縁層の破壊電圧の半分の電圧を印加し。X.Yの交点の絶緑を破壊し.NPNトランジスタを形成することにより行なう。読み取りは,X,Yのアドレスを指定すれば,トランジスタが形成された部分は電流が流れ基板より信号を検出することができる;写図1

シソーラス用語： 記憶素子 ,  固定 ,  半導体
準シソーラス用語： 記憶素子(半導体/固定) ,  固定記憶素子 ,  固定記憶素子(絶縁破壊形/半導体形) ,  絶縁破壊形 ,  半導体記憶素子 ,  半導体記憶素子(固定/絶縁破壊形) ,  半導体形

タイトルに関連する用語 (1件)： 絶縁破壊