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J-GLOBAL ID：201602010518304529 整理番号：65A0163553
多種類の薄膜蒸着用R.Fスパッタリング
RF sputtering for deposition of wide variety of thin films
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HALL J D
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資料名：
Res Dev (Industrial Laboratory)
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巻：
16
号：
10
ページ：
116-119
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0167A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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RFスパッタリングの基礎理論とその装置の解説記事,RFスパッタリングはグロー放電,熱陰極スパッタや反応性スパッタによる絶縁物の間接蒸着とは異なり任意の多結晶やガラス質絶縁物などを直接蒸着でき,特に超小形回路に適し加熱することなく薄膜を蒸着できる,RFスパッタの基礎理論を解説し,その装置を図と写真で示した,陽極電圧は0-250V,500W100kcの線形増幅器を用い,1500ATの電磁石を使っている,この装置でガラス,珪素,アルミナの多結晶膜が得られピンポールやその他の欠陥がなかった;写1図4
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