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文献
J-GLOBAL ID:201602010595917347   整理番号:68A0324836

III-V化合物の特性と応用

著者 (1件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 311-316  発行年: 1968年
JST資料番号: F0080A  ISSN: 0367-3332  CODEN: FUJIA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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III-V化合物は多方面のデバイス用半導体材料として研究されてきた.工nSbは,最高の電子易動度をもつため磁電変換素子またバンド幅が赤外部に対応することから,この領域での光電素子に用いられる.Capは不純物.対間電子遷移により可視ELとして開発された.CaSaはSiにつづく第2の半導体として有望でSi,Geと異質のバンド構造をモチレーザタイオードおよびマイクロバルク発振素子材料として今後の発展が期待されている:参12
タイトルに関連する用語 (1件):
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