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J-GLOBAL ID：201602010685749885 整理番号：61A0007951
ダイヤモンド型半導体の表面におけるイオンのオージェ中性化の理論
Theory of Auger neutralization of ions at the surface of a diamond-type semiconductor.
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著者 (1件)：
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資料名：
Phys Rev (Physical Review)
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巻：
122
号：
1
ページ：
83-113
発行年：
1961年
JST資料番号：
D0323B
ISSN：
0031-899X
CODEN：
PHRVA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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充分大きな電離エネルギーのイオンがダイヤモンド型半導体の原子的にきれいな表面で中性化されるときに起こる2電子オージェ型遷移について議論した.一価の希ガスイオンがSiやGeの(111)面,Siの(100)面に入射したときの実験結果を説明することができた
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