抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分子をエネルギー一定の電子で照射したとき起こる基底状態から電子的励起状態への遷移確率に関する研究で,N
2,O
2,NO,CO,CO
2H
2Oなど簡単な分子について理論値と質量スペクトルによる実験値の充分は一致を得た。入射電子エネルギーVがイオンの基底エネルギーEj(中性分子の基底状態を基準とする)状態と次の励起状態のエネルギーの間にあるときはイオン化断面積σはσ=Pexp.〔-Ej/ω(V-Ej)〕で与えられるとし,Vがさらに幾つかの励起イオン状態より高い場合には各状態に関するσiをσi=Pi Si exp〔-Ei/ω(V-Ei)〕,σ
total=Σσとする。ωは分子の性質に無関係な定数で実験的に求めうれる。このような計算の結果は小さい分子の場合に有効全断面積について小さい値を与える。これについてはよい実験結果もなく,イオンの高い励起状態に関する知識もないのが難点であるが,この報文で考えた以外の因子を考える必要があると思われる。しかしいろいろのイオン生成に対する相対的有効断面積は質量スペクトルの結果とよい一致を示している。入射電子のエネルギーと孤立したイオン励起伏態への遷移確率の間の関係はいずれにせよ実験値と非常によい一致を示す;図6表3参23(松本)
