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J-GLOBAL ID：201602010749303797   整理番号：64A0021718

シリコンのA中心による光吸収と再結合放射

Оптическое поглощения и рекомсинационное излучение связанные с ацентром в кремнии.

著者 (1件)： КУРСКИЙ Ю А
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
号： 8  ページ： 2263-2273  発行年： 1964年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 

抄録/ポイント： 有効質量近似とESRのデータから,SiのA中心の電子に束縛された正孔の励起準位を計算した。基底状態(Ec-0.17eV)から励起状態への電子遷移,Ev+0.13eV準位にある正孔との束縛励起子の形成が,5.5μ,1.8μの吸収帯にそれぞれ対応する。局在励起子の再結合放射を計算し,極大は約2μのところにあることを示した

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  A中心 ,  光吸収 ,  再結合放射