文献

J-GLOBAL ID：201602010783747254   整理番号：70A0364627

高圧におけるテトラチオナフタセンの電気的ならびに光学的挙動

著者 (3件)： 城谷一民 (東大(物性研)) ,  川田薫 (東大(物性研)) ,  井口洋夫 (東大(物性研))
資料名： Bull Chem Soc Jpn  (Bulletin of the Chemical Society of Japan)
巻： 43  号： 8  ページ： 2381-2385  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0450A  ISSN： 0009-2673  CODEN： BCSJA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラチオナフタセンの電気抵抗と吸収スペクトルの温度依存性を高圧下で研究.観察される光学的遷移には対応しない固有伝導レベルが,原子価帯の上約2eVにあることがわかった.圧力による吸収ピークのレッドシフトは固有バンドギャップの収縮よりも小さい.固有伝導レベルの存在は電子対の生成により生じる光電子放射収率の最小が,閾値点の上約2eVにあるという事実から支持される.以前観察された0.4~0.62eVのバンドギャップ(J Chem Phys42,2248(′65);同誌40,2695(′67))は,化学的不純物によって生成される受容体レベルに相当すると思われる:参15

タイトルに関連する用語 (3件)： 高圧 ,  光学 ,  挙動