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文献
J-GLOBAL ID:201602010790663830   整理番号:58A0066393

純粋ほう素の電気的特性:半導体物質としての可能性

The Electrical Properties of Pure Boron.
資料名:
巻:号:ページ: 18  発行年: 1958年
JST資料番号: B0436A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR) 
抄録/ポイント:
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昨年末に純度99.15%~99.6%のほう素の結晶が,生産可能となり,純粋ほう素の研究が一段と進められ,高純度結晶ほう素の電気的特性は次のごとくであることが分った。比抵抗は25°Cで1.7×106Ωcm,抵抗温度係数は200°K~1000°K内で-1010,エネルギーギャップは700°K~1000°K内で1.5eVである。普通はp型であるが,熱処理によって低抵抗のn型に変化することができる。高純度ほう素は,現在水銀整流器のイグナイタとしての使用例がある
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