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文献
J-GLOBAL ID:201602010819982930   整理番号:68A0032472

アンチモン化セシウム薄膜における光電子の減衰距離の決定

Die Bestimmung der Austrittstiefe von Photoelektronin in CaesiumAntimonSchichten
著者 (2件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 527-535  発行年: 1968年
JST資料番号: C0599A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 東ドイツ (DDR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Cs3Sb型の半導体陰極の光学定数,膜厚,光電流を可視スペクトル領域で測定した。光学測定および輸送関数から計算した膜内のエネルギー分布は外部光電流を決定する。輸送関数のパラメータである減衰距離を商(quatient)法を用いて計算した。光電子の減衰距離は440~620nmのスペクトル領域で調べると15nmの値を持つ;写図9参13
タイトルに関連する用語 (4件):
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