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J-GLOBAL ID：201602010891172560 整理番号：65A0005766
M90の真空中におけるクリープと電場の影響
Creep in vacuum of MgO single crystals and the electric field effect.
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資料名：
J Appl Phys (Journal of Applied Physics)
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巻：
36
号：
7
ページ：
2309-2316
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0266A
ISSN：
0021-8979
CODEN：
JAPIAU
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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800~1630°CにおけるMgO単結晶の曲げクリープを測定する方法と測定結果を述べた。1000°C付近におけるクリープ速度はらせん転位の交差すべりによって支配され,その活性化エネルギーは1.5±0.25eVである。1300°C以上でのクリープは5.85±0.73eVの活性化エネルギーでおこり,応力依存指数は3である。このクリープはOイオンの拡散によって支配される刃状転位の上昇運動に帰せられる。電場を与えると一時的にクリープ速度が増加する。この影響を明らかにし,その特徴を調べる実験の結果を述べ,それについて論じた;写2図8参42
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