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文献
J-GLOBAL ID:201602011003240460   整理番号:60A0008167

半導体理論と逆耐電圧の解説 I

Introduction to semiconductor theory and reverse breakdown.
著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 42-45  発行年: 1960年
JST資料番号: E0226A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ッェナーダイオードを解説するため,まず半導体の理論を紹介する,半導体における電気伝導は価電子帯にある電子が伝導帯に上って“自由”な電子と,その後にプラスに荷電された正孔を作る.正孔の伝導作用を説明し,電子と正孔の運ぶ電流を計算する.エネルギー帯の理論を述べ,真性伝導につき論ずる.上下の帯の間隔をエネルギーギマップとよび,Geで0.7eV,Siで1.1eVである.半導体の温度が上ると電子がふえて,負の抵抗温度係数をもつ点が金観と異なる
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