文献
J-GLOBAL ID：201602011008740835 整理番号：65A0021075
III-V化合物P-N接合のトンネル効果
Tunneling in III-V compound p-n junctions.
出版者サイト
複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (2件)：
SHEWCHUN J
SHEWCHUN J について
「SHEWCHUN J」ですべてを検索
,
WILLIAMS R M
WILLIAMS R M について
「WILLIAMS R M」ですべてを検索
資料名：
Phys Rev Lett (Physical Review Letters)
Phys Rev Lett について
JST資料番号 H0070A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻：
15
号：
4
ページ：
160-163
発行年：
1965年
JST資料番号：
H0070A
ISSN：
0031-9007
CODEN：
PRLTAO
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
GaP,InP,GaAsについて零バイアス付近の抵抗-電圧曲線の様子を1°K付近で測定し従来に見られない効果が見出された。InP接合では1180%もの抵抗増大変化がみられる。効果は接合両側の不純物濃度に依存する。このI-V特性は一種類の異常(状態密度の対数的特異性)だけでなく,数種の異常性の重合せと考えられる
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
V化合物
V化合物 について
「V化合物」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
p-n接合
p-n接合 について
「p-n接合」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
トンネル効果
トンネル効果 について
「トンネル効果」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
