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J-GLOBAL ID：201602011088534670 整理番号：58A0054687
半導体測定用キャパシタンス・ブリッヂ
Capacitance bridges for semiconductor measurements.
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著者 (1件)：
BLACKBURNE N F
BLACKBURNE N F について
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資料名：
ATE J (Autom Teleph Elect (ATE Journal (Automatic Telephone & Electric Co.))
ATE J (Autom Teleph Elect について
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巻：
14
号：
3
ページ：
166-175
発行年：
1958年
JST資料番号：
A0469A
CODEN：
ATEJA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
イギリス (GBR)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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正方向,逆方向,あるいは零バイアスのかかっている半導体P-N接合の実効並列抵抗や容量を測定する允めに2特別に設計されたP-N接合アドミタンス・ブリッヂの紹介。1kcから1Mcの周波数範囲で,抵抗は1Ωから1MΩ,容量は1pFから100,000pFまでが測定できた。高温での測定も可能。
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