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文献
J-GLOBAL ID:201602011088534670   整理番号:58A0054687

半導体測定用キャパシタンス・ブリッヂ

Capacitance bridges for semiconductor measurements.
著者 (1件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 166-175  発行年: 1958年
JST資料番号: A0469A  CODEN: ATEJA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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正方向,逆方向,あるいは零バイアスのかかっている半導体P-N接合の実効並列抵抗や容量を測定する允めに2特別に設計されたP-N接合アドミタンス・ブリッヂの紹介。1kcから1Mcの周波数範囲で,抵抗は1Ωから1MΩ,容量は1pFから100,000pFまでが測定できた。高温での測定も可能。

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