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J-GLOBAL ID：201602011090368507   整理番号：74A0027503

GaAsにおけるプラズモンーフォノン結合

Plasmon-phonon coupling in GaAs.

著者 (1件)： KUKHARSKII A A
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 13  号： 11  ページ： 1761-1765  発行年： 1973年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsにおける減衰縦プラズマ及び格子振動結合の特性を,任意結合振動子模型に基づく誘電関数を用いて解析した。有効及び初期励起のプラズモンーフォノン固有周波数相関を理論的に導出し,実験的に立証した;写図4表1参14

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,  格子振動
準シソーラス用語： GaAs ,  プラズモン-フォノン結合 ,  誘電関数

タイトルに関連する用語 (1件)： GaAs