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J-GLOBAL ID：201602011153459613   整理番号：62A0008470

InSbの各種性質

Indium antimonide.
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著者 (1件)：
MOSS T S

MOSS T S について


資料名：
Prog Semicond  (Progress in Semiconductors)

Prog Semicond について


巻： 5  ページ： 189-220  発行年： 1960年 
JST資料番号： E0034A  CODEN： PSEMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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製造の問題,パンド構造,光学的性質(短波長吸収,活性化エネルギーの圧力,温度依存性,不純物濃度による吸収端の依存性,自由荷電粒子による吸収など),光起電力(光電磁気効果,光伝導性,PN接合検出器),電気的性質,応用(光および光電装置,磁気抵抗効果,ホール効果)などにつき述べた;図15表3参69
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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InSb

InSb について

, 
性質

性質 について


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