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J-GLOBAL ID：201602011248246498   整理番号：72A0035233

無定形けい素とゲルマニウム薄膜の金属接触による結晶化

Metal contact induced crystallization in films of amorphous silicon and germanium.

著者 (3件)： HERD S R ,  CHAUDHARI P ,  BRODSKY M H
資料名： J Non-Cryst Solid  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 7  号： 4  ページ： 309-327  発行年： 1972年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属と接触した,真空蒸着により作製した無定形Si,Geの結晶化と化合物生成温度を電子顕微鏡を用いて測定した。材料は食塩結晶板上に金属およびSi,Geを蒸着後.食塩を水にとかして作製した。金属と接触したSi,Geは通常の結晶化温度より低い温度であった。Siでは金属との共融温度の0.72で,Geの場合0.63-0.68で結晶化した。化合物を作るようなけい素一金属間には簡単な関係は認められなかった。この場合,金属に富んだ化合物が初めに出来ることからけい素の金属中への拡散が速いと考えられる;写図9参4

シソーラス用語： けい素 ,  ゲルマニウム ,  金属 ,  結晶化 ,  薄膜 ,  無定形

タイトルに関連する用語 (4件)： 無定形けい素 ,  ゲルマニウム ,  薄膜 ,  結晶化