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J-GLOBAL ID：201602011349611189   整理番号：68A0029663

SiのP形反転層における移動度異方性と圧電抵抗

Mobility anisotropy and piezoresistance in silicon ptype inversion layers

著者 (3件)： COLMAN D ,  BATE R T ,  MIZE J P
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 39  号： 4  ページ： 1923-1931  発行年： 1968年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： ホール素子型MOS FETを用いて,反転層での正孔ホール移動度をゲート電圧,逆転層方向〔(100),(110),(111)〕,反転層内電流方向,温度の関数として測定した。移動度は,結晶方向や電流方向に依存することが分った。室温で圧電抵抗テンソルを上記3方向の表面について測定したが,その値はその方向に依存し,内部各方向の値とも異なる。これら異方性の効果を表面チャネル内担体の波動関数の量子化によって説明する(このチャネルは内部担体の波長に比べて狭いものとする;写図7表2参28

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  反転層 ,  移動度 ,  異方性 ,  圧電抵抗