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文献
J-GLOBAL ID:201602011479876702   整理番号:68A0034533

けい素の上のSiO2膜の誘電破壊

Der dielektrische Durchschlag in SiO2-Schichten auf Silizium.
著者 (1件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 48-52  発行年: 1967年
JST資料番号: E0428A  ISSN: 0044-2283  CODEN: ZAPHA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Si上に熱的に成長したSiO2膜の破壊の統計的分布を調べ,陽極酸化膜を比較研究した。破壊に及ぼす温度,膜厚,パルス幅の影響を測定した。3種類の破壊が起っている。陽極酸化膜のものとは全く異なる;写1図5表3参10
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