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J-GLOBAL ID：201602011515043216   整理番号：68A0088486

各種ラップによるSi単結晶の鏡面仕上 鏡面ラッピングに関する研究

資料名： 精密機械  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 34  号： 10  ページ： 666-673  発行年： 1968年 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0374-3543  CODEN： SEKIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： 半導体材料であるSi単結晶を各種ラップを用いてラッピングを行い鏡面生成機構を追求し,次の結果を得た。(1)固定砥粒の場合,鏡面は砥粒運動の拘束と砥粒切れ刃高さの不均一さにより微細な引っかきの集積として生成され,引っかききずは消滅しない。(2)微細な遊離砥粒の場合はきずの観察されない鏡面が生成される。(3)本実験で使用したラップの中では,加工に長時間を要するが,ビッチ・ラップが最も平滑な鏡面をつくる。(4)PE砥石による仕上面あらさはHmax0.1μ程度の鏡面である。加工時間が短く,きずを生じない鏡面の前加工として適している;写図18表1参15

引用文献 (15件)：

• 1) 津和秀夫 : 超精密加工, 生産と技術, 18, 8 (1966) 18.
• 2) G.A. Wolfe, J.M. Wilber and J.C. Clark : Etching and Orientation Measurements of Diamond Type Crystals by means of Light Figures, Zeit. für Elektrochem., 61, 1 (1957) 1.
• 3) W.C. Dash : Distorted Layers in Silicon Produced by Grinding and Polishing, J. appl. Phys., 29 (1958) 228.
• 4) T.M. Buck and F.S. Mckim : The Surface Chemistry of Metals and Semiconductors, J. Wiley and Sons, N.Y. (1960) 116.
• 5) 小野員正, 三上修, 鈴木丈弐 : ゲルマニウムおよびシリコン単結晶の加工ひずみ, 通研実報, 10, 5 (1961) 925.

タイトルに関連する用語 (6件)： ラップ ,  Si単結晶 ,  鏡面仕上 ,  鏡面 ,  ラッピング ,  研究