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J-GLOBAL ID：201602011552860267   整理番号：71A0240994

高電圧シリコン集績回路

High voltage silicon integrated circuits.

著者 (3件)： CAUGE T ,  KOCSIS J ,  POLATA B
資料名： Rec Power Cond Specialists Conf Greenbelt  (Record Power Conditioning Specialists Conference 700420)
ページ： 60-64  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700011  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文は高電圧IC実境のための2種類の新しい技術について述べた。その一つはフィールドプレートの結合によるもので,シリコンの表面効果を取り除くことができ,バイポーラトランジスタでLV_CEOを800Vにすることができた。他の一つは静電隔離法で,比較的容易にエピタクシとジャンクション隔離とを加えた方法よりもよい結果が得られた。その他チップの寸法やパッケージなどによっても影響されるが.MOSICは有望と思われる;写図13参4

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  バイポーラトランジスタ ,  集積回路
準シソーラス用語： MOS集積回路(高電圧) ,  バイポーラトランジスタ(高電圧集積回路) ,  高電圧 ,  高電圧集積回路 ,  集積回路(高電圧)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高電圧 ,  シリコン