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J-GLOBAL ID：201602011586498923   整理番号：72A0041379

強電場中の半導体内のホール効果

Эффект Холла в полупроводниках в сильном злектрическом поле.

著者 (2件)： ПУСТОВОЙТ В И ,  МУХОРТОВ Ю П
資料名： Pis`ma Zh Ehksp Teor Fiz  (Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki)
巻： 13  号： 4  ページ： 211-215  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0238A  ISSN： 0370-274X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 強電場中でのホール係数は電場の強さに依存し,弱電場のときと大きく異なる。またP形テルルではホール係数の符号さへ逆転する。また強磁場中では通常の電流飽和の代りに電場飽和が起る。ここでは,これらの効果が共通の性質をもち,強電場中のキャリアの超音速運動によるフォノン発生と深く結びついていることを示す;写図3参5

シソーラス用語： Hall効果
準シソーラス用語： フォノン発生 ,  強電場 ,  電場飽和 ,  電流飽和

タイトルに関連する用語 (2件)： 強電場 ,  ホール効果