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J-GLOBAL ID：201602011603169440   整理番号：71A0242196

ICの代りにバルク効果素子を使うと内部結線が簡単になる

Replacing s.i.cs with bulkeffect devices can simplify interconnection problems.

著者 (1件)： DUNSTER D F
資料名： Electron Eng  (Electronic Engineering)
巻： 42  号： 513  ページ： 57-59  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0452A  ISSN： 0013-4902  CODEN： ELCEA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ICやLSI回路の内部結線は複雑すぎて.小形化が非常にやり難くなっている。この解決法としてパルク効果素子を使う方法が考えられるが.ここでは4極管やトンネルダイオードの負抵抗特性の利用,サーミスタのような負抵抗特性による発振,増幅,論理回路への応用ができることをのべた。ガン効果の起る条件.電界の移動をのべ。この原理を使った機能ICがあること,ガラス半導体とPn接合,これによるスイッチ素子.非結晶層材料としてツェナー降下,フェロ電界効果と温度効果を説明し,さらにメモリスイッチ,超音波効果を解説した;写図1

シソーラス用語： Gunn効果 ,  LSI ,  集積回路
準シソーラス用語： IC ,  パルク効果

タイトルに関連する用語 (3件)： IC ,  バルク ,  結線