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J-GLOBAL ID：201602011658604120   整理番号：70A0036015

SmTeにおける圧力誘起金属-半導体転移と4f電子の非局在化

Pressure-induced metal-semiconductor transition and 4f electron delocalization in SmTe.

著者 (4件)： JAYARAMAN A ,  NARAYANAMURTI V ,  BUCHER E ,  MAINES R G
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 25  号： 6  ページ： 368-370  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SmTeにおける電気抵抗と光吸収の圧力変化を測定。圧力増加により,半導体から金属の相へ連続的に転移する。これは4f帯と伝導帯の間隔が圧力と共に減少して遂には消失すると解釈される。飽和比抵抗の比ρ(P)、、、/ρ(0)から求めたこのギャップの値は,赤外吸収のデータから求めた値0.62±0.02eVとよく一致する;写図3参12

シソーラス用語： 圧力依存性 ,  光吸収 ,  相転移 ,  電気抵抗 ,  導電率
準シソーラス用語： SmTe ,  SrnTe ,  圧力効果 ,  圧力効果(光吸収/電気抵抗) ,  金属-半導体 ,  金属-半導体転移 ,  金属-半導体転移(SmTe) ,  相転移(金属-半導体) ,  電気抵抗率

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘起 ,  4f電子 ,  非局在化