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文献
J-GLOBAL ID:201602011664069724   整理番号:68A0032888

りん拡散けい素中の強い接合間のひずみ

Intense interjunction strain in phosphorus-diffused silicon.
著者 (2件):
資料名:
巻: 115  号:ページ: 429-433  発行年: 1968年
JST資料番号: C0285A  ISSN: 0013-4651  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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けい素中でのりんの選択領域拡散により浅い接合ができる。それらの接合の間の領域の広範囲のひずみ効果をX線トポグラフィーにより明らかにした。拡散誘導ひずみは拡散の無い部分に広がる。異常なX線コントラスト効果が観測された。不純物拡散による応力を格子が打消すとすればBorrmann効果からひずみこう配がわかる。転位を生ずる応力除去機構により残留応力は小さくなる;写図8参14
タイトルに関連する用語 (3件):
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