抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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トランジス久真空管,FET等は.三端子素子,一般的な四端子素子とは異なる。本文は,簡単な場合として,トランジスタを取上げ,エミッタ,ベースおよびコレクタをそれぞれ接地した場合についての四端マトリクス,伝送係数,インピーダンス等を計算する。両極性トランジスタ,FETについても,理想的三端子と比較して計算をした;写図4表8参4