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J-GLOBAL ID：201602011680519942   整理番号：58A0060860

強い正弦波電圧下のp-n接合ダイオードの遷移率

Die Tragheit von p-n-Flachendioden bei starker Aus-steuerung mit Sinusspannungen.

著者 (1件)： HEINLEIN W
資料名： Archiv der Elektrischen Uebertragung  (Archiv der Elektrischen Uebertragung)
巻： 12  号： 11  ページ： 510-514  発行年： 1958年 
JST資料番号： A0447A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： p-n接合ダイオードの二つの領域は順方向に電圧をかけた時には相互エミッタとして,逆方向では相互コレクタとして働く.前者ではp-n接合部通路域に貯えられた電荷は正方向抵抗に,従って伝導おくわに影響を与える.貯蔵電荷が集まると動逆電流,しゃ断おくわをひきおこす.色々の周波数の正弦波を加えたGe接合ダイオードの例につきこれらの考えを定量的に確めた

分類 (1件)： (EC040206)

タイトルに関連する用語 (3件)： 正弦波 ,  接合ダイオード ,  遷移