文献

J-GLOBAL ID：201602011738108298   整理番号：73A0039696

立方晶型のII-VI化合物半導体における表面電場誘起ラマン散乱

Surface electric field-induced Raman scattering in cubic Iv-VI cormpound semiconductors.

著者 (2件)： BRILLSON L ,  BURST EIN E
資料名： Proc Intern Conf Light Scattering Solids 2nd Paris  (Proceedings. International Conference on Light Scattering in Solids 2nd 710719)
ページ： 320-325  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19710096  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NaCl型の結晶構造をもつPbTe,SnTe,PbSe,PbSでラマン不活性のLOフォノンによる表面電場誘起散乱を観測した。透明なPb層で覆い表面のエネルギーバンドをゆがめたP型のサンプルを用いたとき,ラマン振動数は非弾性中性子散乱やトンネル効果から求められたq=0のLOフォノン振動数に対応する。原子の変位とフランツーケルディッシュ機構の寄与が論じられている;写図2表1参23

シソーラス用語： Raman散乱 ,  フォノン
準シソーラス用語： Franz-Keldysh機構 ,  PbS ,  PbSe ,  PbTe ,  SnTe

タイトルに関連する用語 (5件)： 立方晶 ,  化合物半導体 ,  電場 ,  誘起 ,  ラマン散乱