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J-GLOBAL ID：201602011750438864   整理番号：72A0249080

ミリ波.サブミリ波用GaAsバルク素子

Bulk gallium arsenide sources at millimeter and submillimeter wavelengths.

著者 (1件)： EASTMAN L F
資料名： Polytech Inst Brooklyn Mi  (Polytechnic Institute of Brooklyn. Microwave Research Institute. Symposia Series)
巻： 20  ページ： 41-61  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0984A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型GaAs内の走行時間およびバルク効果発振についてふれ,発振出力の増大について述べた。バルク,あるいはLSAモード発振は非正弦的で,電気的にはバイアス電圧で同調をとる。回路は基本的なマイクロ波周波数帝の動作について解析し,さらに第2高調波回路についても実験し,30GHzで効率7.5%,最高出力20Wのものが得られた。GaAsバルク内での走行時間効果とLSA発振特性などについて,アバランシェダイオード(インバット,トラバットモード発振特性)と比較をした;写図13参10

シソーラス用語： アバランシェダイオード ,  サブミリ波 ,  ひ化ガリウム ,  ミリ波

タイトルに関連する用語 (4件)： ミリ波 ,  サブミリ波 ,  GaAs ,  バルク