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J-GLOBAL ID：201602011754574649   整理番号：70A0043796

SiをドープしたYIGにおける磁壁スティフネスの光誘起増加

Light-induced increase in domain-wall stiffness in Si-doped YIG.

著者 (4件)： LEJIS W ,  METSELAAR R ,  RIJNIERSE P J ,  ENZ U
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 3  ページ： 1248-1249  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiをいれたYIGの初期磁化率は光照射により減少する。この効果は簡単な2中心模型一強く異方的な中心がそれより弱く異方的な中心から光誘起電子移動により形成されること・一で説明される。磁壁はこれらの強く異方的な密度nの中心によってピンニングされる。nが小ならティフネスはnに比例し,nが大ならパμに比例する;写図1参5

シソーラス用語： フェリ磁性体 ,  光照射
準シソーラス用語： Fe ,  Y ,  YIG中 ,  ガーネット ,  ガーネット(Y/Fe) ,  シリコン ,  シリコン(YIG中) ,  磁気スティフネス ,  二中心モデル

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドープ ,  YIG ,  磁壁 ,  スティフネス ,  光誘起