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J-GLOBAL ID：201602011783519070   整理番号：71A0033970

ドープした酸化物ガラスとIr,Pd,Rh,Ruから製造する半導体

Semiconductors produced by doped oxide-glasses with Ir, Pd, Rh or Ru.

著者 (3件)： SARTAIN C C ,  RYDEN W D ,  LAWSON A W
資料名： J Non-Cryst Solid  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 5  号： 1  ページ： 55-65  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体は1wt%以上のIr.Pd.Rh.Ruと酸化物ガラスの拡散ドーピングや各種酸化物中への40kVIrイオンの注入により製造できる。300.K.78’KのHall移動度は0.005耐/v・sec以下。不純物濃度,伝導度から推定した移動度は0.001である。伝導度は非イオン的である。X線小角散乱によると伝導度は伝導帯の間の電子ホッピングによるものではない。伝導度は300.Kでオームの法則により4.K以下では場に依存する。この物質は可視全域にわたって吸収。焼成条件,ふん囲気と伝導度との関係についても記述;写図7参8

シソーラス用語： イリジウム ,  ガラス ,  パラジウム ,  ルテニウム ,  ロジウム ,  酸化物 ,  半導体
準シソーラス用語： 酸化物(ガラス) ,  白金属元素

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  酸化物ガラス ,  Ir ,  Pd ,  Rh ,  Ru