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J-GLOBAL ID：201602011788289129   整理番号：72A0039422

プレーナデバイスのガンドメイン振幅の印加電圧依存性の実験

Experimental Gunn-domain amplitudes vs. bias voltages of planar devices.

著者 (3件)： FALLAMN W F ,  HARTNAGEL H L ,  MATHUR P C
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 6  号： 2  ページ： K77-K79  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ100μm.比抵抗0.5Ωcmのプレーナガンダイオードを作り,過剰ドメイン場U,と残留電場E,の特性を測定した。U。とE,の関係の実験結果はU,の大きいところではButcherの理論によくあう。このことはバルクデハイスの理論がプレーナデハイスにも有効であることを示すものである;写図1参5

準シソーラス用語： GUnnダイオード ,  GUnn分域

タイトルに関連する用語 (6件)： ガン ,  ドメイン ,  振幅 ,  印加 ,  電圧依存性 ,  実験