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J-GLOBAL ID：201602011858425122   整理番号：74A0035373

分子線エピタクシー法によって成長した構造

Structure grown by molecular beam epitaxy.

著者 (5件)： CHANG L L ,  ESAKI L ,  HOWARD W E ,  LUDEKE R ,  SCHUL G
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 10  号： 5  ページ： 655-662  発行年： 1973年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーの行程をのべ,その化合物半導体への応用を検討している。GaAsとGaAs-GaAIAsの超格子形成とその特性替した。II-V1-v,N-vt化合物についても検討している(薄膜翼象に関する会議1973);写図14参49

シソーラス用語： エピタクシー ,  ひ化ガリウム ,  薄膜 ,  分子ビーム
準シソーラス用語： GaAs ,  超高子 ,  分子線

タイトルに関連する用語 (2件)： 分子線エピタクシー法 ,  成長