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J-GLOBAL ID：201602011867957820   整理番号：71A0044186

半導体の光電流の短波長揮制の機構と負の光電効果

О механизме коротковолнового гашения фототока и отрицательного фотоаффекта полупроводников.

著者 (1件)： РЫБАЛКА В В
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 11  ページ： 2199-2201  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 固有吸収帯の光照射による光電流の揮制と負の光電効果の機構について考察した。既存の実験の解析とCdSに関する補足的実験により,上記の現象は電位が急変している狭い領域を照射する際に起ることが分つた。このような領域は電極の近くにしばしばあり,障壁の高さの変化がこの効果の原因であることを示す。この観点から,諸特性を検討した;参16

シソーラス用語： 光伝導 ,  光電流 ,  障壁 ,  半導体

タイトルに関連する用語 (3件)： 光電流 ,  短波 ,  光電効果