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J-GLOBAL ID：201602011872237690   整理番号：70A0036964

Si電場放出陰極における過渡過程におよぼす表面状態の効果

Effect of surface states on transient processes in silicon field cathodes.

著者 (3件)： STETSENKO B V ,  YATSENKO A F ,  MIROSHNICHENKO L S
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 1  号： 2  ページ： 349-355  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 7000ΩcmのP形Siのパルス下光電場放出を観測。放出電流の開始は電圧パルス開始に対しバイアスされており,電流は極大を経てパルス端に減小する。遅延時間は光強度,陰極温度,バイアス電圧,パルス電圧に依存する。この結果は表面状態の重要性を裏付ける。表面付近の電場で計算すると密度は1013cm-2以上となる;写図4参10

シソーラス用語： 過渡現象 ,  電界放出 ,  表面状態
準シソーラス用語： P形 ,  シリコン ,  シリコン(P形) ,  過渡現象(電界放出) ,  電界放出陰極

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  電場 ,  放出 ,  陰極 ,  過程