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J-GLOBAL ID：201602011878688014   整理番号：71A0037386

半導体系列PbS,PbSeおよびPbTeにおけるエネルギーギャップの異常性

Energy-gap anomaly in the semiconductor sequence PbS,PbSe,and PbTe.

著者 (1件)： DALVEN R
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 3  号： 10  ページ： 3359-3367  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： f総和則がPbS,PbSeおよびPbTeの伝導および価電子バンド端で調べられた。電子,正孔の有効質量とエネルギーギャップの実験値が使われた。PbX系列のE。の値に関する異常性はPbTeに対するE,の不規則な値によると結論される。PbTe玩伝導バンド端状態がPbSとPbSeのそれとの相違が提案されている。この相違はPbTeがPbSとPbSeのそれと異なるf総和行列要素をもつ結果をもたらす;写図10表6参25

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  有効質量
準シソーラス用語： PbS ,  PBSe ,  PbTe ,  バンド端 ,  総和則

タイトルに関連する用語 (5件)： 系列 ,  PbS ,  PbSe ,  PbTe ,  エネルギーギャップ