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文献
J-GLOBAL ID:201602011886374878   整理番号:68A0325322

GaAs-Geエピタクシーの界面附近でのひ素の拡散

著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 81  発行年: 1967年
JST資料番号: G0520A  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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p型Ge単結晶の基板上に,n型GaAsをエピタクシー成長させ,X線マイクロアナライザと熱探針を用いて,そのエピタクシーの構造を調べた.その結果P型Geは界面附近でAsの拡散のため,n型に変化すること,またGaAs-Geヘテロ接合はその本来の性質を示さないことを発見した.さらにAsの拡散係数,活性化エネルギーも計算した:参2
タイトルに関連する用語 (4件):
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