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J-GLOBAL ID：201602011915022854   整理番号：71A0032176

非放物型半導体の非線形ファラデー効果

Nonlinear Faradav effect in nonparabolic semiconductors.
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著者 (1件)：
CHAKRAVARTI A K

CHAKRAVARTI A K について


資料名：
J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)

J Appl Phys について


巻： 42  号： 7  ページ： 2875-2882  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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デバイ温度より高い電子温度の担体が.極性光学モードとイオン化不純物で散乱される場合について,定磁場下で強い電磁場を受けた半導体の担体分布関数を考察した。非放物性は担体の加熱化を制限するが.非線形効果は低周波数域で著しい;写図3参28
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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熱い電子

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準シソーラス用語：
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非線形伝導

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非放物型半導体

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