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J-GLOBAL ID：201602011933177083   整理番号：70A0037258

金属-誘導体-半導体接合のヒステリシス効果

Эффект гистерезиса в МДП структуре.

著者 (2件)： ГННОВКЕР А С ,  СИНИЦА С П
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 2  ページ： 383-385  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： Siの(111)面に厚さ0.1μのSi,N、膜をつけ.それにA1電極を蒸着した接合の電圧容量特性を測定した。動作時間τ,と容量が極大値から極小値へ切り変る電圧v,との関係をしらべた。電流電圧特性も測定した;写図2参9

準シソーラス用語： MIS接合 ,  シリコン ,  電流-電圧特性 ,  電流-容量特性

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘導体 ,  半導体接合 ,  ヒステリシス効果