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J-GLOBAL ID:201602011974391146   整理番号:71A0036039

ZnTe-CdTeの負の光伝導領域における電気的不安定性

Электрическая неустойчивость в области отрицательной фотопроводимости ZnTe-CdTe.
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 1232-1235  発行年: 1971年 
JST資料番号: R0267A  ISSN: 0015-3222  CODEN: ETPPA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語: ロシア語 (RU)
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高抵抗P形ZnTe-CdTeの負の光伝導領域における低周波電流発振をしらべた。発振は正微分抵抗域で起る。発振限界電場は,6×103V/cmである。発振周波数(1~20c/s)は電場とともに減少し,振幅は増大する。温度が高くなると周波数は増大し,振幅は285°K付近に極大を示す;写図3参5
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