抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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高抵抗P形ZnTe-CdTeの負の光伝導領域における低周波電流発振をしらべた。発振は正微分抵抗域で起る。発振限界電場は,6×103V/cmである。発振周波数(1~20c/s)は電場とともに減少し,振幅は増大する。温度が高くなると周波数は増大し,振幅は285°K付近に極大を示す;写図3参5