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J-GLOBAL ID：201602012007385140   整理番号：72A0045397

n型CdCr₂S₄における磁化率,高抵抗表面層

A magnetically susceptible, highly resistive surface layer in n-type CdCr₂S₄.

著者 (1件)： TODA M
資料名： Proc Conf Solid State Dev  (Proceedings of the Conference on Solid State Devices)
巻： 1971  ページ： 183-190  発行年： 1971年 
JST資料番号： S0652A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InをドーブしたCdCr,S,単結晶を真空中で焼なましするとn型で165Kで比抵抗は1049cm位になる。これにlnまたはAgを蒸着すると界面は高抵抗かつ新しい磁化率を示す。この高抵抗層の厚みは印加電圧によらず,磁気的整列を共に減少する。例えば接合容量はT,(88.5K)近くで6KOeの磁場により約%になる。これらの諸現象は表面層でのスピン整列に基くバンド構造の変化に起因する事が分つた;写図7参9

シソーラス用語： 磁化率
準シソーラス用語： CdCr₂S₄ ,  強磁性半導体 ,  接合容量

タイトルに関連する用語 (2件)： 磁化率 ,  表面層