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文献
J-GLOBAL ID:201602012034475704   整理番号:68A0139936

けい素置換π-電子系におけるd-軌道効果 I 2,5-ビス(トリメチルシリル)-および2,5-ジ-tert-ブチル-p-ベンゾキノンの半波還元電位

d-Orbital-Effekte in silicium-substituierten π-Elek-tronensystrmen. I. Halbstufen-Reduktionspotentiale von 2,5-Bis(trimethylsilyl)- und 2,5-Di(tert.-butyl)- p-benzochinon.
著者 (1件):
資料名:
巻: 79  号: 21  ページ: 932-933  発行年: 1967年
JST資料番号: A0396A  ISSN: 0044-8249  CODEN: ANCEAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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標題のふたつの化合物の化合物(I),(II)についてポーラログラフから半波還元電位を測定した。Iの方がIIに比べて高酸化電位を示した。すなわち電子吸引性が強いことであり,トリメチルシリル基とtert-ブチル基の誘起効果の差とd軌道関与とで解釈;図2表1参7〓(I)〓(II)

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