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J-GLOBAL ID：201602012057244661   整理番号：71A0034223

無定形ゲルマニウムの導電率の周囲から誘導された変化

Ambient induced changes of the conductance of amorphous germanium.

著者 (2件)： KASTNER M ,  FRITZSCHE H
資料名： Mater Res Bull  (Materials Research Bulletin)
巻： 5  号： 8  ページ： 631-640  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無定形半導体車のFermi準位が決められる状態密度の程度を検討するために.75A/secに近い速度で蒸着したa-Geの100-2500Aの厚さの導電率を300°KでN2+X(X=H2O.03,NH3,エタノール)中で測定.同じ流れの中にさしいれたa-Ge薄膜でおおわれた三つ口天びんによって.吸着したXの量を測定した。△Gが薄膜の厚さととちに増加することから.Xが薄膜を通っていることがわかる;写図4参6

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  吸着 ,  電気伝導 ,  導電率 ,  半導体 ,  無定形
準シソーラス用語： ゲルマニウム(無定形/導電性) ,  吸着(無定形ゲルマニウム/導電率変化) ,  導電性 ,  導電率(無定形ゲルマニウム/吸着) ,  導電率変化 ,  半導体(無定形ゲルマニウム) ,  無定形(ゲルマニウム) ,  無定形ゲルマニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： 無定形 ,  ゲルマニウム ,  導電率 ,  誘導