抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ZnをドープしたN形Siの吸収スペクトルを0.2~1.1eVのエネルギー域で測定した。Zn2-のE,-o.55eV準位から伝導帯への光励起断面積は査ω=1.05eVに対して10‘17瞭である。深い中心の光電離の理論とよく一致するスペクトルか得ら第1た。断面積の絶対値は実測値より小さく.クーロン効果を示す;写図4表1参17